PECVD管式炉简介
PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点;
PECVD管式炉系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到理想的真空度;同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。
PECVD管式炉是实验室生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等的理想选择。
PECVD管式炉主要用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。
PECVD管式炉特点
1.高薄膜沉积速率：RF辉光技术，大大提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S;
2、面积均匀度高：先进的多点射频送料技术、特殊的气路分布及加热技术等，使薄膜均匀度指标达到8%;
3、一致性高：采用半导体行业先进的设计理念，一次沉积的基板之间偏差小于2%;
4、工艺稳定性高：设备稳定性高，保证工艺连续稳定;
PECVD管式炉技术参数
最高工作温度：1200 oC
长期工作温度：≤1100℃
热电偶：K型
加热元件：HRE电阻丝
极限真空度：1Pa
流量计：三路质子流量计，双卡套不锈钢接头，316L耐腐蚀材料
