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PECVD管式炉

PECVD管式炉

PECVD管式炉是一种先进的实验设备,它采用滑动炉体设计,可以实现快速的升降温,同时配置了不同的真空系统来达到理想的真空度。PECVD管式炉是一种高度精密、功能强大的实验设备,适用于各种薄膜材料的生长和制备。

  • 热场/炉膛:陶瓷纤维炉膛
  • 加热元件:电阻丝
  • 最高温度:1200℃
  • 使用温度:1100℃
  • 真空度:高真空 ,低真空
  • 可用气氛:惰性气氛(N2、CO2、Ar2等)
  • 应用工艺:烧结 ,脱脂烧结 ,热处理 ,气象沉积(薄膜沉积)
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产品介绍

PECVD管式炉简介

PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点;

PECVD管式炉系统通过滑动炉体来实现快速的升降温,配置不同的真空系统来达到理想的真空度;同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。

PECVD管式炉是实验室生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等的理想选择。

PECVD管式炉主要用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备,生长薄膜石墨烯,金属薄膜,陶瓷薄膜,复合薄膜等,也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。

PECVD管式炉特点

1.高薄膜沉积速率:RF辉光技术,大大提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S;

2、面积均匀度高:先进的多点射频送料技术、特殊的气路分布及加热技术等,使薄膜均匀度指标达到8%;

3、一致性高:采用半导体行业先进的设计理念,一次沉积的基板之间偏差小于2%;

4、工艺稳定性高:设备稳定性高,保证工艺连续稳定;

PECVD管式炉技术参数

最高工作温度:1200 oC

长期工作温度:≤1100℃

热电偶:K型

加热元件:HRE电阻丝

极限真空度:1Pa

流量计:三路质子流量计,双卡套不锈钢接头,316L耐腐蚀材料

服务流程

项目前期沟通
一对一沟通客户需求,包括对温度,规格等要求,针对性提供最合理的建议,满足客户的需求。
制定方案及确认
根据客户的不同需求为用户提供针对每台试验设备的系统,功能改造方案,确保用户的利益最大化。
生产测试及发货
确认方案并确保更好的实施后,生产出设备并进行有效测试,达到用户的使用标准,然后装箱发货。
指导安装及调试
设备达到现场后,根据验货清单验收,确保按合同交货。安排技术人员到现场指导安装及调试支持。

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