CVD管式炉简介
CVD管式炉由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。可实现真空达0.001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验。
CVD管式炉主要用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD/CVI实验，特别适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长、电池材料干燥烧结等场所。
CVD管式炉特点
1.薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S;
2. 大面积均匀性高：采用了先进的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%;
3. 一致性高：用半导体行业的先进设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;
5.智能CVD设备是目前最新型的一款设备，将所有的控制部分集为一体，此款设备是博纳热获得专利的设备。高温真空加热炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统。电气元件采用优质的进口产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。
6.适用范围宽:金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，连续生长各种薄膜等。增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能。
CVD管式炉技术参数
最高工作温度：1200 oC
长期工作温度：≤1100℃
热电偶：K型
加热元件：HRE电阻丝
极限真空度：1Pa
流量计：三路质子流量计，双卡套不锈钢接头，316L耐腐蚀材料
