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CVD管式炉

CVD管式炉

CVD管式炉可以提供高温、高压、高真空等严苛条件,使得我们可以在这种环境下进行各种材料制备、烧结、还原等实验。在高校、科研院所、工矿企业等领域具有广泛的应用前景和市场前景。

  • 热场/炉膛:陶瓷纤维炉膛
  • 加热元件:电阻丝
  • 最高温度:1200℃
  • 使用温度:1100℃
  • 真空度:高真空 ,低真空
  • 可用气氛:惰性气氛(N2、CO2、Ar2等) 危险气体(H2) 无
  • 应用工艺:烧结 ,气象沉积(薄膜沉积)
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产品介绍

CVD管式炉简介

CVD管式炉由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。可实现真空达0.001Pa混合气体化学气相沉积和扩散试验。

CVD管式炉主要用于高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD/CVI实验,特别适用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备、纳米线生长、电池材料干燥烧结等场所。

CVD管式炉特点

1.薄膜沉积速率高:射频辉光技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S;

2. 大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%;

3. 一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;

4. 工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;

5.智能CVD设备是目前最新型的一款设备,将所有的控制部分集为一体,此款设备是博纳热获得专利的设备。高温真空加热炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统。电气元件采用优质的进口产品,做到高性能、免维护,提高了设备质量的可靠性。

6.适用范围宽:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。增加功能容易,可扩展等离子清洗刻蚀等功能。

CVD管式炉技术参数

最高工作温度:1200 oC

长期工作温度:≤1100℃

热电偶:K型

加热元件:HRE电阻丝

极限真空度:1Pa

流量计:三路质子流量计,双卡套不锈钢接头,316L耐腐蚀材料

服务流程

项目前期沟通
一对一沟通客户需求,包括对温度,规格等要求,针对性提供最合理的建议,满足客户的需求。
制定方案及确认
根据客户的不同需求为用户提供针对每台试验设备的系统,功能改造方案,确保用户的利益最大化。
生产测试及发货
确认方案并确保更好的实施后,生产出设备并进行有效测试,达到用户的使用标准,然后装箱发货。
指导安装及调试
设备达到现场后,根据验货清单验收,确保按合同交货。安排技术人员到现场指导安装及调试支持。

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